Компания Samsung впервые обнародовала ключевые показатели своего 2‑нм технологического процесса с транзисторами Gate‑All‑Around (GAA), продемонстрировав умеренное улучшение по сравнению с 3‑нм технологией. Ранее южнокорейский гигант лишь сообщал о старте массового производства пластин по этой литографии, но теперь представил конкретные цифры по производительности, энергоэффективности и плотности размещения элементов.Читать дальше →...
Компания Samsung впервые обнародовала ключевые показатели своего 2‑нм технологического процесса с транзисторами Gate‑All‑Around (GAA), продемонстрировав умеренное улучшение по сравнению с 3‑нм технологией. Ранее южнокорейский гигант лишь сообщал о старте массового производства пластин по этой литографии, но теперь представил конкретные цифры по производительности, энергоэффективности и плотности размещения элементов.
Читать дальше →