Пока изготовители логических СБИС бодро осваивают 3-нм производственныенормы, микросхемыпамяти уже который год топчутся у 10-нм порога. Будет ли он однажды всё-такипреодолён, или вертикальная укладка ячеек памяти слоями — единственныйэффективный впредь способ неуклонно повышать плотность хранения данных ОЗУ наединицу занимаемой его чипами площади?...
